RAM lerin üzerinde bulunan Column Access Strobe (CAS) latency veya CL (Türkçesi ile Gecikme Süresi), READ komutu ile mevcut moment verileri arasındaki gecikme süresidir. Eşzamansız DRAM’de, aralık nanosaniye cinsinden (mutlak zaman) belirtilir. Eşzamanlı DRAM’de aralık, saat çevrimlerinde belirtilir. Gecikme mutlak zaman yerine bir dizi saat işaretine bağlı olduğundan, bir SDRAM modülünün bir CAS olayına yanıt vermesi için gerçek zaman, saat hızı farklıysa aynı modülün kullanımları arasında değişebilir.

RAM İşleminin Arka Planı

Dinamik RAM dikdörtgen bir dizide düzenlenmiştir. Her satır, yatay bir kelime çizgisiyle seçilir. Belirli bir sıra boyunca mantıksal bir yüksek sinyal göndermek, her bir depolama kapasitörünü karşılık gelen dikey bit hattına bağlayarak o sırada bulunan MOSFET’leri etkinleştirir. Her bit hattı, depolama kapasitörünün ürettiği küçük voltaj değişimini yükselten bir algılama amplifikatörüne bağlanır. Bu güçlendirilmiş sinyal daha sonra DRAM yongasından çıkarılır ve aynı zamanda satırı yenilemek için bit hattını yedeklenir.

Hiçbir kelime satırı aktif olmadığında, dizi boştur ve bit hatları, yüksek ve alçak arasında bir voltaj ile, yetersiz şarj edilmiş durumda tutulur. Bu belirsiz sinyal, bir sıra aktif hale getirildiğinde depolama kapasitörü tarafından yüksek veya alçak yöne doğru saptırılır.

Belleğe erişmek için önce bir satır seçilmeli ve algılama amplifikatörlerine yüklenmelidir. Bu satır daha sonra etkindir ve sütunlara okuma veya yazma için erişilebilir.

CAS gecikmesi, sütun adresinin ve sütun adresi flaş sinyalinin bellek modülüne sunulduğu saat ile karşılık gelen verilerin bellek modülü tarafından kullanılabilir hale getirildiği zaman arasındaki gecikmedir. İstenen satır zaten aktif olmalıdır; değilse, ek süre gereklidir.

Örnek olarak, tipik bir 1 GiB SDRAM bellek modülü, her biri 128 MiB depolama alanı sunan sekiz ayrı bir gibibit DRAM yongası içerebilir. Her bir yonga dahili olarak her biri ayrı bir DRAM dizisi oluşturan 227 = 128 Mibitlik sekiz kümeye bölünmüştür. Her dizi 214 = 16384 satır, her biri 213 = 8192 bit içerir. Bir bayt belleğe (her yongadan; tüm DIMM’den toplam 64 bit) 3 bitlik bir banka numarası, 14 bitlik bir satır adresi ve 13 bitlik bir sütun adresi sağlanarak erişilir.

Bellek Erişim Hızına Etkisi

Eşzamansız DRAM ile belleğe, bir saat yerine belirli bir zamanlamaya dayalı olarak bellek veriyolundaki bir bellek denetleyicisi tarafından erişilir ve sistem veri yolundan ayrıdır. Ancak senkronize DRAM, saat hızına bağlı olan bir CAS gecikmesine sahiptir. Buna göre, bir SDRAM bellek modülünün CAS gecikmesi, mutlak zaman yerine saat işaretleriyle belirtilir.

Bellek modüllerinin birden çok dahili bankası olduğundan ve diğerinin erişim gecikmesi sırasında birinden veri çıkışı yapılabildiğinden, çıkış pinleri ardışık düzen boyunca CAS gecikmesine bakılmaksızın% 100 meşgul tutulabilir; ulaşılabilen maksimum bant genişliği yalnızca saat hızıyla belirlenir. Ne yazık ki, bu maksimum bant genişliğine sadece okunacak verinin adresi yeterince önceden biliniyorsa ulaşılabilir; erişilen verinin adresi öngörülebilir değilse, boru hattı duraklamaları meydana gelebilir ve bu da bant genişliği kaybına neden olur. Tamamen bilinmeyen bir bellek erişimi (AKA Rastgele erişim) için, ilgili gecikme, herhangi bir açık satırı kapatma zamanı artı istenen satırı açma süresi, ardından gelen verileri okumak için CAS gecikmesidir. Uzamsal yerellik nedeniyle, ancak, aynı satırdaki birkaç kelimeye erişmek yaygındır. Bu durumda, CAS gecikmesi tek başına geçen süreyi belirler.

Modern DRAM modüllerinin CAS gecikmeleri, farklı saat hızlarındaki gecikmeler karşılaştırılırken zaman yerine saat tıklamaları olarak belirlendiğinden, gecikmelerin adil bir karşılaştırma yapmak için mutlak zamanlara çevrilmesi gerekir; Daha yüksek bir sayısal CAS gecikmesi, saat daha hızlıysa yine de daha kısa bir mutlak zaman gecikmesi olabilir. Bununla birlikte, üretici tarafından belirtilen CAS gecikmesinin tipik olarak belirtilen saat hızını varsaydığını, bu nedenle bir bellek modülünün hızının aşılmasının daha düşük bir CAS gecikmesinin ayarlanmasına izin verebileceğini unutmamak önemlidir.

Çift veri hızlı (DDR) RAM, saat döngüsü başına iki transfer kullanarak çalışır. Aktarım hızı, genellikle DDR modülleri için aktarım hızının yarısı olan saat hızı yerine üreticiler tarafından belirtilir. CAS gecikmesi saat döngülerinde belirtildiğinden ve aktarım tiklerini (saatin hem pozitif hem de negatif kenarında meydana gelen) olmadığından, CAS gecikme sürelerini hesaplamak için kullanılan saat hızı olduğundan emin olmak önemlidir ve iki katına çıkarılan transfer oranı değil.

Diğer bir karmaşık faktör, patlama transferlerinin kullanılmasıdır. Modern bir mikroişlemci 64 baytlık bir önbellek satır boyutuna sahip olabilir ve 64 bitlik (sekiz bayt) bir bellekten doldurmak için sekiz aktarım gerektirir. CAS gecikmesi, yalnızca hafızanın ilk kelimesinin aktarılması için gereken zamanı doğru bir şekilde ölçebilir; sekiz kelimenin tamamını aktarma süresi, veri aktarım hızına da bağlıdır. Neyse ki, işlemcinin tipik olarak sekiz sözcüğün tamamını beklemesi gerekmez; patlama genellikle kritik kelime birinci sırada gönderilir ve ilk kritik kelime mikroişlemci tarafından hemen kullanılabilir.

Aşağıdaki tabloda, veri hızları saniyede megatransfer olarak da bilinen milyon transfer (MT / s) olarak verilirken, saat hızları MHz, saniyede milyon döngü olarak verilmektedir.